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    多层陶瓷电容器

它具有在多层陶瓷电容器上施加直流电时降低有效静电容量的特点。多层陶瓷电容器称为DC偏置特性。例如，在额定电压为6.3V、静电容量为100μF的多层陶瓷电容器上施加4V直流电，多层陶瓷电容器B特性产品的静电容量约为20%，F特性产品的静电容量减少80%。多层陶瓷电容器铝电解和钽电解电容器不会发生这种情况。

重庆陶瓷电容电容器的分类多层片式陶瓷电容器批发价格

电容器的分类

电容器有着各式各样的种类。如图1所示，电容器以生产材料可划分为陶瓷电容器、钽电解电容器、铝电解电容器等。特别是多层陶瓷电容器，体积虽小但容量大，经常被用于去耦、电源电压的平滑化、滤波等各种电路中。是提升手机、电视机性能所不可缺少的元件。

多层陶瓷电容器的特点

＜特性① 温度特性＞

重庆陶瓷电容器如图2所示，可分为温度补偿型与高诱电型。由于各种温度条件下的静电容量变化情况各不相同，因此需要根据电容的特点来确定其用途。

你应该使用什么陶瓷电容器降额？

有一个共同的经验法则，陶瓷电容器的电压应降低至少25%，作为标准，但在其将暴露于电压纹波效应的环境中，这应增加到至少50%。部件的额定电压应至少为正常运行时可施加在部件上的电压的两倍。

更的计算可以通过观察击穿电压和额定电压之间的关系来实现。通常，制造商通过根据经验和判断对击穿电压加上裕度来计算额定电压。击穿电压由陶瓷电容器结构中所用材料的特性和材料中存在的缺陷决定。制造过程的质量越高，击穿电压也就越高——受所用材料的限制。有趣的是，电容值越高，任何制造缺陷对击穿电压的影响就越小。

陶瓷基绝缘材料的性能主导了计算；研究表明，金属元素对结果影响不大。击穿电压通常由电介质内部的极化过程决定，而不是由任何穿决定。制造商通过确定元件工作特性内的区域来确定击穿电压。电压相关的质量保持在设备要求的范围内，其预测可靠性在规定范围内。然后，设计师应用的任何降额都是制造商降额系数的附加值，用于根据击穿电压计算额定电压。

要记住的一件事是，乍一看，过度降低组件的额定值似乎是的策略，但这将导致选择物理上更大或更昂贵的组件。所需的额外电路板空间可能不可行，或可能对电路板的布局和布线造成其他挑战。在可能存在机械振动的环境中，较大的部件也会增加部件内部的风险。与所有的设计决策一样，一些后果需要仔细考虑。

重庆陶瓷电容的作用多层片式陶瓷电容器批发价格

耦合

用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。

滤波

用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。