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重庆多层陶瓷电容器具有良好的高频特***式陶瓷电容器批发

＜特性② 低ESR、低ESL＞

重庆多层陶瓷电容器具有良好的高频特性。与其他电容器相比，由于其具备能够减小电阻（ESR※1）及残余电感（ESL※2）的构造，因此在高频条件下也能保证电容器的工作。图3、图4所示为等效电路与电感的特性。由于铝电解电容器及钽电解电容器的ESR较高，因此阻抗也就较高。但陶瓷电容器却是频率越高则阻抗越低，这对于去藕来说非常有效，并能够发挥的滤波能力。

C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的G***、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。

X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。

重庆多种陶瓷电容器的区别片式陶瓷电容器批发

重庆多种陶瓷电容器的区别

旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较***的方法就是多并几个电容。

在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。