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Ⅰ类陶瓷的温度特性。浙江陶瓷电容器片式陶瓷电容器费用

    Ⅰ类陶瓷的温度特性

Ⅰ类陶瓷的温度特性以及表明方式Ⅰ类陶瓷的温度容积特性(TCC)十分小，企业通常在ppm/℃，容积较基准值的变动通常远低于1皮法。 美国电子器件行业规范选用 浙江陶瓷电容器英文字母 数据 英文字母 这类编码方式来表明Ⅰ类陶瓷温度指数。

例如常用的C0G。 浙江陶瓷电容器C0G意味着的温度指数到底多少钱？C 表明电容器温度指数的有效数字为 0 ppm/℃0 表明有效数字的倍乘因素为 -1 浙江陶瓷电容器(即10的0三次方)G 表明随温度转变的输出精度为 ±30ppm

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    NPO和C0G是同一种电容吗NPO是美国用规范(MIL)中的观点，实际上应该是NP0(零)，但一般大伙儿习惯性写出NPO(欧)。这也是缩写，用于表明的温度特性。浙江陶瓷电容器表明NPO的电容温度特性非常好，不随正负极温度转变而发生容值飘移。 

从前边咱们早已了解，浙江陶瓷电容器C0G是I类瓷器中温度可靠性好是的一种，温度特性类似为0，达到“负-正-零”的含意。因此C0G实际上和NPO是一样的，只不过2个规范的二种表明方式浙江陶瓷电容器（自然，容值更小，精密度略差一点的C0K，C0J等也是NPO电容）。相近的，U2J相匹配于MIL规范中的等级编码为N750。

失效模式分析

失效模式分析

（1）在电场作用下，陶瓷电容器的击穿 ***遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点***的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结。在电场作用下，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。

（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低。